三星Galaxy S6搭载超低耗14纳米芯 性能远超iPhone6
三星刚刚宣布自己已成为全球首个开始量产基于14纳米FinFET生产工艺移动处理器的公司。三星即将推出的Exynos 7 Octa，会用在新款旗舰Galaxy S6中，是首款采用这个新工艺的移动应用处理器。
三星称相较于20纳米工艺，14纳米FinFET工艺打造的处理器速度快20%，耗能低35%。
三星执行副总裁Gabsoo Han称，“三星先进的14纳米FinFET工艺无疑是行业中最为先进的。我们预计14纳米移动应用处理器的生产会对移动行业的增长产生积极的影响，因为这可以进一步提升尖端智能手机的性能。”
三星在其新闻稿中称，在“晶体管中融合了三维FinFET结构”，可以“克服之前20纳米以及更老工艺平面结构性能和缩放方面的限制”，这样在移动半导体行业中便具备“巨大”的竞争优势。
三星竞争对手高通推出的骁龙810便使用了台积电的20纳米制造工艺。
此外苹果iPhone6所用处理器采用20纳米的A8，相比三星Galaxy S6耗能方面就已输掉。不过iPhone6S的配置采用A9处理器的话，那么所采纳的工艺也是14纳米，看来2015年这两家的竞争会更加的白热化。
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